本发明公开了一种利用光固化法制备SOx掺杂C材料的方法，包括以下步骤：将甲基丙烯2‑羟基乙酯、正硅酸乙酯、苯基双(2,4,6‑三甲基苯甲酰基)氧化膦混合均匀，其后加入CS2搅拌均匀，并进行光固化反应，得到光固化产物；将所述光固化产物在氮气氛围中焙烧，得到焙烧产物；将焙烧产物用HF刻蚀，刻蚀后离心洗涤、干燥，得到SOx掺杂多孔碳催化剂；本发明CS2为S源，通过高温裂解法成功制备了SOx掺杂多孔碳材料，成功构建了适宜的孔结构和S、O官能团，使得位于同族的S、O元素共同发挥作用，得到性能优异的SOx掺杂多孔碳催化剂，可使生产过氧化氢的速率达到10.07mmol/min/gcat，法拉第效率可达100％。
1.一种利用光固化法制备SOx掺杂多孔C材料的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将甲基丙烯2-羟基乙酯、正硅酸乙酯、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦混合均匀，其后加入CS2搅拌均匀，并进行光固化反应，得到光固化产物； S2、将所述光固化产物在氮气氛围中焙烧，得到焙烧产物； S3、其后将焙烧产物用HF刻蚀，刻蚀后离心洗涤、干燥，得到SOx掺杂多孔C催化剂。
2.根据权利要求1所述的一种利用光固化法制备SOx掺杂多孔C材料的方法，其特征在于：所述CS2与所述甲基丙烯2-羟基乙酯的质量比为1-8:1。
3.根据权利要求1所述的一种利用光固化法制备SOx掺杂多孔C材料的方法，其特征在于：所述甲基丙烯2-羟基乙酯与正硅酸乙酯的质量比为20:1，所述甲基丙烯2-羟基乙酯与苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦的质量比为1:0.03。
4.根据权利要求1所述的一种利用光固化法制备SOx掺杂多孔C材料的方法，其特征在于，所述焙烧的具体步骤为：将所述光固化产物置于氮气氛围中，以5℃/min升温至400℃，保持一小时，再以5℃/min升温至700℃，继续保持一小时。
5.根据权利要求1所述的一种利用光固化法制备SOx掺杂多孔C材料的方法，其特征在于：所述HF刻蚀时间为24h。
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