政策资讯

磁热效应测量系统及测量方法

专利类型:
发明
申请号/专利号:
CN202011527674.9
申请人(专利权人):
包头稀土研究院、瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司
行业类别:
G01N25/20 G01R33/00
技术成熟度:
成熟
公布时间:
2024-11-22
证书状态:
有效
交易价格:
面议
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种磁热效应测量系统,包括:永磁体、控制装置、温度装置、移动装置、采集装置;永磁体包括第一管状磁体、第二管状磁体,第一管状磁体、第二管状磁体为管状结构,中心磁场强度不同,第一管状磁体、第二管状磁体通过温度装置相连接,轴线位置设置有通道;温度装置用于为通道提供不同温度的恒温环境,移动装置用于携带样品在通道内移动;采集装置用于采集样品的温度,并将温度转换为温度信号发送给控制装置;控制装置接收外部输入的指令,并转发给作为执行部件的温度装置、移动装置、采集装置。本发明公开了一种磁热效应测量系统的测量方法。本发明能够测量材料在两个磁场强度下的磁热效应值。

1.一种磁热效应测量系统,其特征在于,包括:永磁体、控制装置、温度装置、移动装置、采集装置;永磁体包括第一管状磁体、第二管状磁体,第一管状磁体、第二管状磁体为管状结构,中心磁场强度不同,第一管状磁体、第二管状磁体通过温度装置相连接,轴线位置设置有通道;第一管状磁体、第二管状磁体通过半导体冷阱连接,导热管依次穿过第一管状磁体、半导体冷阱、第二管状磁体;第一管状磁体、第二管状磁体位于同一轴线上,温度装置位于第一管状磁体、第二管状磁体之间,温度装置套装在通道外部,温度装置用于为通道提供不同温度的恒温环境,移动装置用于携带样品在通道内移动;采集装置用于采集样品的温度,并将温度转换为温度信号发送给控制装置;控制装置接收外部输入的指令,并转发给作为执行部件的温度装置、移动装置、采集装置,控制装置包括:存储元件、温度读取元件、控温元件、控位元件和输入元件;输入元件与存储元件电连接,接收输入的参数信号,并将参数信号发送给存储元件,参数信号包括:设定温度信号、位置信号、磁场强度信号;控位元件分别与伺服电机和存储元件电连接,读取存储元件中的位置信号,根据位置信号控制伺服电机动作,使样品到达设定位置;控温元件分别与温度装置和存储元件电连接,读取设定温度信号,根据设定温度信号控制温度装置的温度达到环境温度;温度读取元件分别与采集装置和存储元件电连接,接收测量温度信号,将测量温度信号转化为温度数值,并发送到存储元件存储;存储元件用于存储参数信号,存磁场强度与位置的对应关系,存储温度读取元件采集的温度数值。

2.如权利要求1所述的磁热效应测量系统,其特征在于,永磁体采用海尔贝克Halbach阵列永磁体,温度装置采用半导体冷阱,通道采用导热管,采集装置采用Pt1000温度传感器。

3.如权利要求1所述的磁热效应测量系统,其特征在于,移动装置包括:伺服电机、同步带、样品盒,同步带穿过通道,并且首尾相接,样品盒连接在同步带上,伺服电机用于带动同步带转动,采集装置设置在样品盒内。

4.如权利要求3所述的磁热效应测量系统,其特征在于,样品盒与同步带活动连接,样品盒上设有放置样品的腔体,在腔体处设置有活动连接的盖子。

5.如权利要求1-4任一项所述的磁热效应测量系统的测量方法,其特征在于,包括: 温度装置使通道内的环境达到测量需要的环境温度T; 移动装置携带样品进入通道,依次通过第一磁场强度的第一管状磁体的内部的区域、磁场强度为零的区域以及第二磁场强度的第二管状磁体的内部的区域,之后返回磁场强度为零的区域;依次采集样品在上述四个区域内的温度数值T1、T2、T3和T4,并将温度数值发送给控制装置; 得到样品在第一磁场强度、第二磁场强度和环境温度T下的绝热温变T2-T1或者T4-T3。

6.如权利要求5所述的磁热效应测量系统的测量方法,其特征在于,第一管状磁体、第二管状磁体采用海尔贝克Halbach阵列永磁体,将样品帖上Pt1000温度传感器,置于样品盒内,样品盒插入导热管内;启动伺服电机移动样品到设定的磁场位置;启动半导体冷阱制冷,达到设定的最低温度后保持温度,测量样品温度。


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