本发明涉及一种基于硅通孔的紧凑嵌套电感结构及其制备方法，该紧凑嵌套电感结构包括：半导体衬底；硅通孔，位于所述半导体衬底内部，且所述硅通孔的两端穿过所述半导体衬底；环形介质层，位于所述硅通孔内表面；金属柱，位于所述环形介质层内；第一隔离层，位于所述半导体衬底的上表面；第一多层金属线层，位于所述硅通孔以及所述第一隔离层的上表面；第二隔离层，位于所述半导体衬底的下表面；第二多层金属线层，位于所述硅通孔以及所述第二隔离层的下表面。本发明制备的这种紧凑嵌套电感结构在传统硅通孔三维电感器基础上实现两个电感螺旋环的嵌套，起到了增加电感密度的作用。
