本发明涉及一种InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法。该方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge籽晶层；生长第二Ge主体层；加热整个衬底，并利用激光工艺对整个衬底进行晶化，激光工艺参数：波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s；冷却后在Ge/Si虚衬底材料上生长InGaAs材料。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度，提高后续生长的InGaAs材料质量。同时，激光再晶化工艺时间短、热预算低，可提升Si衬底上制备InGaAs材料整个工艺的效率。另外，InGaAs材料作为沟道的NMOS器件、InGaAs作为N沟道，Ge及应变GeSn作为P沟道的CMOS器件具有很高的电子和空穴迁移率，可显著提升晶体管的速度与频率特性，并降低电路整体的功耗。
