技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和所述PIN二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路在低频、窄带环境和高频、宽带环境下都可以发挥最佳效应；同时，预失真集成电路可以减小氮化镓基功率放大器的幅度，改善功率放大器的非线性失真。

一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

同类信息

我要咨询