政策资讯

一种异质结薄膜光伏器件的制备方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201811232412.2
申请人(专利权人):
仲鹏
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明涉及一种异质结薄膜光伏器件的制备方法,包括:在FTO基片上制备TiO2籽晶层,形成含TiO2籽晶层的FTO基片;在含TiO2籽晶层的FTO基片上制备Nb掺杂TiO2纳米线薄膜,形成Nb掺杂TiO2纳米线基片;在Nb掺杂TiO2纳米线基片上沉积Cu2O,形成沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜;在沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜上形成Ag电极。本发明采用水热法制备Nb掺杂TiO2纳米线基片,采用简单、易于实现的电沉积方法合成Cu2O薄膜、制备电极,工艺重复性和稳定性非常好;通过本方法制成的器件在AM1.5G的条件下获得了0.4%的光电转换效率,具有很大的经济和社会效益。

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