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本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区，隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；以及在SOI衬底上形成引线，以完成固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能固态等离子体PiN二极管。

一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法

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