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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法
专利类型:
申请号/专利号:
CN201810900333.8
申请人(专利权人):
贾仁需
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情
技术摘要
权利要求书
技术附图
交易流程
委托经理人
本发明涉及一种基于(AlxGa1‑x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法,所述制备方法包括:选取c面蓝宝石作为衬底材料;利用Ga2O3和Al2O3在在所述衬底材料表面生长(AlxGa1‑x)2O3形成光吸收层;采用掩膜版在所述光吸收层表面形成不对称叉指电极,以完成所述MSM结构的紫外光电探测器的制备。通过这种制备方法,可以得到一种高Al组分的紫外光电探测器,从而会产生两个光学带隙,即对两个紫外光谱范围产生感应,有利于同一个探测器在两个光波波段的检测,提高紫外光电探测器的利用。
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