政策资讯

三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源

专利类型:
申请号/专利号:
CN201710416192.8
申请人(专利权人):
刘帘曦
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
我要咨询

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明涉及一种三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源。该三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源100包括一阶补偿基准电路101、二阶曲率电流产生电路102、三阶曲率电流产生电路103和电流叠加电路104;其中,所述一阶补偿基准电路101、所述二阶曲率电流产生电路102与所述三阶曲率电流产生电路103相互电连接且均电连接至所述电流叠加电路104,所述电流叠加电路104输出参考电压VREF。本发明实施例可以有效地提高补偿电流的精确度,减小输出基准电压的温度系数,进而提高输出基准电压的温度稳定性。

我要咨询

商标号:
联系人:
联系电话:
商标名称:
报价:
需求描述:
提交
服务
客服
电话:18504815395
邮箱:965848622@qq.com
地址:呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906
微信
招聘
返回顶部