本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成空穴传输层；利用旋涂工艺，在空穴传输层表面旋涂CH3NH3PbI3和PCBM混合材料形成光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成反光增强型HHMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，在衬底下表面镀银形成反射增强型HHMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。
