本发明公开了一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，包括掺杂半导体材料基体，掺杂半导体材料基体表面制作有一层微结构阵列，该微结构阵列包含若干均匀排列的微结构单元，该微结构单元能够响应THz波，所述微结构单元中还设计有矩形波导结构以增加吸收带宽，掺杂半导体材料基体为p型硅材料，掺杂浓度为～0.3×1017/cm3，半导体材料基体厚度为250～300μmm，电阻率为0.5Ω·cm，微结构单元为H型微结构单元，每个H型微结构单元相对几何中心上下、左右均对称，H型微结构单元厚度为53μm，本发明还公开了宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，本发明解决了现有技术中存在的太赫兹波器件体积较大、且带宽有限的问题。
