本发明公开了利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非吸收窗口，非吸收窗口的深度超过外延片中的有源区，第二部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器条形发光区域的两端处形成折射率光波导区域。本发明还公开了该种半导体激光器的制作方法。本发明解决了现有技术中采用量子阱混杂技术制作非吸收窗口后，无法避免发光区侧面光学限制和发光区外漏电流的问题。
